Senis 全新中文网站
发明和技术
由R. Popovic教授带领的研发团队,发明了一些最先进的磁场传感器:
SENIS可以根据这些发明及相关的技术辅助您开发自己的先进产品。 或者SENIS可以授予某些IP专利或设计许可。
我们的发明和霍尔传感器设计可用于许可:
 · 第一个集成3D霍尔探头 
 · 最灵敏的垂直霍尔器件 
 · 最好的角度位置传感器 
 · 最成功的指南针芯片 
 · 新型电流传感器
 · 第一个集成3D霍尔探头 
 · 最灵敏的垂直霍尔器件 
 · 最好的角度位置传感器 
 · 最成功的指南针芯片 
 · 新型电流传感器
专利
EP2265962磁场传感器测量平面和电流传感器中的磁场方向(授予:USA,JP,EU)。 首选应用:精确快速的集成角位置传感器。  
EP13174935用于测量电流的电流传感器(授予:EU;授权:JP)。 首选应用:高分辨率电流传感器。
EP14182975.4用于测量流过电缆的电流的电流传感器(授权:美国,欧盟)。 首选应用:高分辨率电流传感器。 
EP14176835.8垂直霍尔器件(授权:美国,待定:EU,JP,CN)。 应用:高分辨率CMOS集成垂直霍尔器件。  
EP16157316.7角度传感器,磁场传感器和测量磁场角度的方法;(授予:美国,欧盟;待定:CN,JP,KR)。 优选应用:精确快速的集成角位置传感器和小角度探测器。 
EP16196608.0用于校准磁传感器的校准工具(待定:EU,US,JP,CN)。
霍尔传感器
CMOS集成水平霍尔器件单元,具有高磁灵敏度和低1 / f噪声,与旋转电流技术兼容。
CMOS集成水平霍尔器件单元,具有高磁灵敏度和低1 / f噪声,与旋转电流技术兼容。
霍尔传感器的接口电路
CMOS霍尔旋流电流集成电路单元,包含水平和/或垂直霍尔器件,数字电路和开关,用于霍尔旋转电流偏置和信号读出